超越cmos，英特尔探索逻辑器件的未来
12月3日，《自然》杂志发表了一篇有关下一代逻辑器件的研究论文，作者包括英特尔、加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员。这篇论文描述了一种由英特尔发明的磁电自旋轨道(meso)逻辑器件。相较于目前的互补金属氧化物半导体(cmos)，meso器件结合超低休眠状态功率，有望把电压降低5倍、能耗降低10-30倍。在探求不断微缩cmos的同时，英特尔一直在研究超越cmos时代的未来十年即将出现的计算逻辑选项，推动计算能效提升，并跨越不同的计算架构促进性能增长。
英特尔资深院士兼技术与制造事业部探索性集成电路组总监ian young表示，“我们正在研究超越cmos时代的计算方案，寻求革命性而不是演进性的突破。meso以低压互连和低压磁电为基础，将量子材料创新与计算结合在一起。我们对已经取得的进展感到非常兴奋，并期待着发挥其潜力，未来做出进一步降低翻转电压的演示。”
英特尔研究人员发明的meso器件，考虑到了未来计算所需的关于存储器、互连线和逻辑的要求。英特尔已经做出了该meso器件的原型，采用的是在室温下呈现新兴量子行为的量子材料，以及由ramamoorthy ramesh开发的磁电材料(ramamoorthy ramesh就任于加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室)。meso还利用了由albert fert描述的自旋轨道超导效应(spin-orbit transduction effects，albert fert就任于法国国家科学研究院/泰雷兹集团联合物理研究组)。
英特尔功能电子集成与制造科技中心主任、资深科学家sasikanth manipatruni表示：“meso器件基于室温量子材料开发。它展现了该技术的可能性，并有望在业界、学术界和各国家实验室中引发新一轮创新。而这种新型计算器件和架构所需的许多关键材料和技术，还需要进行更多开发。”
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